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gallium gan 文章 最新資訊

英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》：技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)功率半導體領(lǐng)域氮化鎵高速增長

  • ●? ?至2030年，氮化鎵（GaN）市場規(guī)模預計將達到30億美元，年復合增長率高達44%●? ?英飛凌高壓GaN雙向開關(guān)采用變革性的共漏極設(shè)計與雙柵極結(jié)構(gòu)●? ?GaN功率半導體拓展至AI、機器人、量子計算等新興市場氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動功率電子行業(yè)迎來一場重大變革。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司近日發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》，深度解析GaN的技術(shù)現(xiàn)狀、應用場景及未來前景，為行業(yè)提供重要參考。英
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臺積電向世界先進與格芯授權(quán)GaN技術(shù)

  • 在全球AI浪潮高漲與綠色能源轉(zhuǎn)型加速的雙重驅(qū)動下，氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正步入關(guān)鍵的黃金增長期。根據(jù)TrendForce研究，全球GaN功率器件市場預計將從2024年的3.9億美元快速增長至2030年的35.1億美元，年復合增長率（CAGR）高達44%。在此高速擴張背景下，領(lǐng)先晶圓代工廠的戰(zhàn)略調(diào)整正在重塑GaN產(chǎn)業(yè)鏈格局。盡管臺積電（TSMC）正逐步退出GaN代工服務，但已通過技術(shù)授權(quán)協(xié)議，將其深厚的技術(shù)積累轉(zhuǎn)移給合作伙伴——世界先進（VIS）與格芯（GlobalFoundries, GF）。此舉不僅推動產(chǎn)
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小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應用更多可能

  • 在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直 GaN 創(chuàng)新：vGaN 支持高電壓和高頻率運行， 效率優(yōu)于硅芯片先進制造工廠：GaN 研發(fā)工作在占地 66,000 平方英尺、 配備 GaN 生產(chǎn)專用工具的潔凈室設(shè)施中進行專有 GaN 生長工藝：工程師借助安森
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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項

  • 本文詳細討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來。
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借助TOLL GaN突破太陽能系統(tǒng)的界限

  • 太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能，也能提升整個系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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技術(shù)干貨 | 借助 TOLL GaN 突破太陽能系統(tǒng)的界限

  • 太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能，也能提升整個系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系統(tǒng)尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區(qū)更優(yōu)的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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美國國際貿(mào)易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權(quán)案中勝訴

  • ●? ?美國國際貿(mào)易委員會的最終裁定可能導致英諾賽科涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品被禁止進口至美國●? ?該裁決是又一項積極結(jié)果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領(lǐng)先的專利組合的價值●? ?氮化鎵?(GaN)?在實現(xiàn)高性能、高能效功率系統(tǒng)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用英飛凌300mm GaN技術(shù)美國國際貿(mào)易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌科技股份公司擁有的一項氮化鎵（GaN）技術(shù)專利1。此外，在初步裁定中，美國國際貿(mào)易委員會確認，英飛凌在向該委員會提起的訴訟中
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ST宣布用于運動控制的GaN集成電路平臺

  • 意法半導體發(fā)布了新的智能電源組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動能夠利用最新的氮化鎵技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現(xiàn)極高效率以滿足嚴格的生態(tài)設(shè)計規(guī)范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術(shù)適用于洗衣機、吹風機、電動工具和工廠自動化等產(chǎn)品的電機驅(qū)動。意法半導體應用專用產(chǎn)品部門總經(jīng)理多梅尼科·阿里戈表示：“我們的新GaNSPIN系統(tǒng)封裝平臺通過引入優(yōu)化系統(tǒng)性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運動控制應用中的寬帶隙效率提升。”“這些新設(shè)
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STicroelectronics 新的 GaN 集成電路運動控制平臺提升了電器能耗

  • 意法半導體發(fā)布了新的智能電力組件，使家用電器和工業(yè)驅(qū)動能夠利用最新的氮化鎵（氮化鎵）技術(shù)，提升能源效率、性能提升并節(jié)省成本。市場上的氮化鎵電源適配器和充電器能夠承受筆記本電腦和USB-C快充所需的足夠功率，實現(xiàn)極高效率以滿足嚴格的生態(tài)設(shè)計規(guī)范。ST最新的氮化鎵集成電路使該技術(shù)適用于洗衣機、吹風機、電動工具和工廠自動化等產(chǎn)品的電機驅(qū)動。?意法半導體應用專用產(chǎn)品部總經(jīng)理Domenico Arrigo表示：“我們的新GaNSPIN系統(tǒng)封裝平臺通過引入優(yōu)化系統(tǒng)性能和保障可靠性的特殊功能，釋放了運動控制應
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Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源

  • 全球運動控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導者之一Allegro MicroSystems, Inc.?(以下簡稱“Allegro”，納斯達克股票代碼：ALGM)，與全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應商英諾賽科?(Innoscience，港交所：-2577.HK)?宣布達成戰(zhàn)略合作，推出了一款開創(chuàng)性的?4.2kW?全?GaN?參考設(shè)計，該設(shè)計采用了?Allegro?的先進柵極驅(qū)動器技術(shù)和英諾賽科高性能氮化鎵。這一創(chuàng)新解決方
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使用 p-GaN 屏蔽提高開關(guān)速度

  • 電力電子產(chǎn)品的銷售額預計將在這十年及以后飆升。推動這一趨勢的是電動汽車產(chǎn)量的增加和數(shù)據(jù)中心的增長，由于人工智能的采用，數(shù)據(jù)中心的電力需求更加苛刻。對于使用電力電子的每種應用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行駛里程、減少電費、減少供暖和減少碳足跡。由于卓越的效率帶來的這些優(yōu)勢，基于寬禁帶半導體的器件越來越多地被采用。到目前為止，基于 SiC 的 MOSFET 創(chuàng)造了最多的收入，其中 MOSFET 因贏得電動汽車部署而成為頭條新聞。然而，盡管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它們包括
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Yole:消費、汽車和數(shù)據(jù)中心推動GaN復合年增長率達42%

  • Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市場預計將達到 30 億美元，2024 年至 2030 年復合年增長率為 42%。消費電子產(chǎn)品是領(lǐng)先的采用者，功率氮化鎵繼續(xù)在快速充電器領(lǐng)域占據(jù)主導地位。盡管與 xEV 市場放緩相關(guān)的短期延遲，但汽車和移動出行領(lǐng)域正在出現(xiàn)新興勢頭。預計 2024 年至 2030 年間，xEV GaN 需求將以 73% 的復合年增長率增長。 數(shù)據(jù)中心正在加速氮化鎵的發(fā)展，因為它們對高效電力系統(tǒng)的需求，而氮化鎵正在成為關(guān)鍵的推動者。與電信一起，數(shù)據(jù)中心在
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意法半導體半橋柵極驅(qū)動器簡化低壓系統(tǒng)中的GaN電路設(shè)計

  • 意法半導體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專門設(shè)計，電源軌額定最大電壓220V，片上集成線性穩(wěn)壓器，為上下橋臂提供6V柵極驅(qū)動信號，拉電流和灌電流路徑采用分開獨立設(shè)計，可以靈活控制GaN 的開通和關(guān)斷。STDRIVEG210 主打功率變換應用，例如，服務器電源、電池充電器、電源適配器、太陽能微型逆變器和功率優(yōu)化器、LED燈具、USB-C電源。諧振和硬開關(guān)兩種拓撲均適用，300ns啟動時
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在LTspice仿真中使用GaN FET模型

  • 近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優(yōu)化應用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進行了優(yōu)化。借助
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GaN成AI服務器電源芯片競爭焦點，未來應用潛力巨大

  • 據(jù)相關(guān)報道，隨著NVIDIA宣布AI服務器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領(lǐng)域迎來了新的技術(shù)競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關(guān)注的核心。近年來，多家企業(yè)積極投入GaN技術(shù)的研發(fā)，使其應用范圍從傳統(tǒng)的消費性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領(lǐng)域仍占據(jù)主導地位，但其在車用功率模塊和AI服務器中的表現(xiàn)也日益受到重視。部分廠商甚至已開發(fā)出適用于1,000V以上環(huán)境的GaN技術(shù)，展現(xiàn)出廣闊的應用前景。歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統(tǒng)矽材料整合，這
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